SIHH14N60E-T1-GE3
SIHH14N60E-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIHH14N60E-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15136 Pieces
Scheda dati:
SIHH14N60E-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 8 x 8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:255 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):147W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:SIHH14N60E-T1-GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:19 Weeks
codice articolo del costruttore:SIHH14N60E-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1416pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:82nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 16A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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