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SIE876DF-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIE876DF-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19999 Pieces
- Scheda dati:
- SIE876DF-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 10-PolarPAK® (L) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 10-PolarPAK® (L) |
| Altri nomi: | SIE876DF-T1-GE3CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SIE876DF-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3100pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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