SI7218DN-T1-GE3
SI7218DN-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI7218DN-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12856 Pieces
Scheda dati:
SI7218DN-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 8A, 10V
Potenza - Max:23W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® 1212-8 Dual
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SI7218DN-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 24A 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A
Email:[email protected]

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