Acquistare SI5457DC-T1-GE3 con BYCHPS
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		| Vgs (th) (max) a Id: | 1.4V @ 250µA | 
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V | 
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1206-8 ChipFET™ | 
| Serie: | TrenchFET® | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 36 mOhm @ 4.9A, 4.5V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) | 
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) | 
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead | 
| Altri nomi: | SI5457DC-T1-GE3-ND SI5457DC-T1-GE3TR | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Surface Mount | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks | 
| codice articolo del costruttore: | SI5457DC-T1-GE3 | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1000pF @ 10V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V | 
| Tipo FET: | P-Channel | 
| Caratteristica FET: | - | 
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ | 
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V | 
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |