SI5411EDU-T1-GE3
SI5411EDU-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI5411EDU-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15034 Pieces
Scheda dati:
SI5411EDU-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® ChipFet Single
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:8.2 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® ChipFET™ Single
Altri nomi:SI5411EDU-T1-GE3TR
temperatura di esercizio:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SI5411EDU-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 12V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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