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SI4435DYPBF
- Modello di prodotti:
- SI4435DYPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18565 Pieces
- Scheda dati:
- SI4435DYPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SI4435DYPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SI4435DYPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001569846 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI4435DYPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2320pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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