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SI3443DV
- Modello di prodotti:
- SI3443DV
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 16611 Pieces
- Scheda dati:
- SI3443DV.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Micro6™(TSOP-6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | *SI3443DV |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI3443DV |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1079pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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