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SH8K4TB1
- Modello di prodotti:
- SH8K4TB1
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14191 Pieces
- Scheda dati:
- SH8K4TB1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SH8K4TB1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SH8K4TB1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 17 mOhm @ 9A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SH8K4TB1TR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SH8K4TB1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1190pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SH8K4TB1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
CSD87333Q3D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON | Inchiesta |
 |
APTM50DUM25TG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8 | Inchiesta |
 |
SI7905DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | Inchiesta |
 |
SH8K41GZETB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP | Inchiesta |
 |
NTJD3158CT2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 | Inchiesta |
 |
IRF6156 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET | Inchiesta |
 |
SSM6N42FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 | Inchiesta |
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | Inchiesta |
 |
SI5905DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 | Inchiesta |
 |
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Inchiesta |
 |
DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | Inchiesta |
 |
ALD110804SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC | Inchiesta |
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