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SD57120
- Modello di prodotti:
- SD57120
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- FET RF 65V 960MHZ M252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19012 Pieces
- Scheda dati:
- SD57120.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SD57120, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SD57120 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | M252 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 120W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | M252 |
| Altri nomi: | 497-5481-5 SD57120-ND |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SD57120 |
| Guadagno: | 14dB |
| Frequenza: | 960MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 960MHz 14dB 120W M252 |
| Descrizione: | FET RF 65V 960MHZ M252 |
| Valutazione attuale: | 14A |
| Corrente - Test: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SD57120
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF573,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A | Inchiesta |
 |
BLP10H610AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-240AVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 | Inchiesta |
 |
PTFA092213ELV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | Inchiesta |
 |
BLF6G27LS-100,118 | NXP USA Inc. | TRANS PWR LDMOS SOT502 | Inchiesta |
 |
MRF19085LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
BLF145,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 65V 27DB SOT123A | Inchiesta |
|
MRF5P20180HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | Inchiesta |
|
MRF7S18125AHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S | Inchiesta |
 |
MRF8P20165WHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 | Inchiesta |
 |
MHT1006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | Inchiesta |
 |
BLF7G15LS-300P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B | Inchiesta |
 |
BLF8G27LS-100V,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B | Inchiesta |
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