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SD56150
- Modello di prodotti:
- SD56150
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- FET RF 65V 860MHZ M252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18517 Pieces
- Scheda dati:
- SD56150.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 32V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | M252 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 150W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | M252 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SD56150 |
| Guadagno: | 16.5dB |
| Frequenza: | 860MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 32V 500mA 860MHz 16.5dB 150W M252 |
| Descrizione: | FET RF 65V 860MHZ M252 |
| Valutazione attuale: | 17A |
| Corrente - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SD56150
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF282SR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2GHZ NI-200S | Inchiesta |
|
AFT21H350W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S | Inchiesta |
|
A2T21S160-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
ARF443 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | Inchiesta |
 |
SD56120C | STMicroelectronics | FET RF 72V 860MHZ M246 | Inchiesta |
|
SD56120 | STMicroelectronics | FET RF 65V 860MHZ M246 | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-100AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 | Inchiesta |
 |
PD57006STR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
 |
BLF7G20L-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | Inchiesta |
 |
PTAC260302FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 | Inchiesta |
 |
SD56120M | STMicroelectronics | FET RF 65V 860MHZ M252 | Inchiesta |
 |
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Inchiesta |
 |
BF1212WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R | Inchiesta |
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