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SCT2H12NYTB
- Modello di prodotti:
- SCT2H12NYTB
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17087 Pieces
- Scheda dati:
- SCT2H12NYTB.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 410µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-268 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Dissipazione di potenza (max): | 44W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Altri nomi: | SCT2H12NYTBDKR |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SCT2H12NYTB |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 184pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 18V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1700V (1.7kV) 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
| Descrizione: | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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