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RUU002N05T106
- Modello di prodotti:
- RUU002N05T106
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12731 Pieces
- Scheda dati:
- RUU002N05T106.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UMT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi: | RUU002N05T106-ND RUU002N05T106TR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RUU002N05T106 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 50V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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