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RQ1A060ZPTR
- Modello di prodotti:
- RQ1A060ZPTR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12002 Pieces
- Scheda dati:
- RQ1A060ZPTR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RQ1A060ZPTR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RQ1A060ZPTR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 23 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | RQ1A060ZPTR-ND RQ1A060ZPTRTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RQ1A060ZPTR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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