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RN1112ACT(TPL3)
- Modello di prodotti:
- RN1112ACT(TPL3)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17754 Pieces
- Scheda dati:
- RN1112ACT(TPL3).pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | CST3 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | - |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 22k |
| Potenza - Max: | 100mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-101, SOT-883 |
| Altri nomi: | RN1112ACT(TPL3)TR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RN1112ACT(TPL3) |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RN1112ACT(TPL3)
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