Acquistare RJP4301APP-M0#T2 con BYCHPS
Acquista con garanzia
RJP4301APP-M0#T2
- Modello di prodotti:
- RJP4301APP-M0#T2
- fabbricante:
- Renesas Electronics America
- Descrizione:
- IGBT 430V TO200FL
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19851 Pieces
- Scheda dati:
- RJP4301APP-M0#T2.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RJP4301APP-M0#T2, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RJP4301APP-M0#T2 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 430V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 10V @ 26V, 200A |
| Condizione di test: | 300V, 200A, 30 Ohm, 26V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 50ns/100ns |
| di scambio energetico: | - |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220FL |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 30W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RJP4301APP-M0#T2 |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | - |
| Descrizione espansione: | IGBT 430V 30W Through Hole TO-220FL |
| Descrizione: | IGBT 430V TO200FL |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 200A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RJP4301APP-M0#T2
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SGP04N60XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 | Inchiesta |
 |
IXGH30N60C2D1 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO247 | Inchiesta |
 |
IXGA7N60CD1 | IXYS | IGBT 600V 14A 75W TO263 | Inchiesta |
 |
STGB40H65FB | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | Inchiesta |
 |
FGH60N60SMD_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 120A 600W TO247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog