Acquistare RGTH60TS65GC11 con BYCHPS
Acquista con garanzia
RGTH60TS65GC11
- Modello di prodotti:
- RGTH60TS65GC11
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- IGBT 650V 58A 197W TO-247N
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19986 Pieces
- Scheda dati:
- RGTH60TS65GC11.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RGTH60TS65GC11, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RGTH60TS65GC11 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 30A |
| Condizione di test: | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 27ns/105ns |
| di scambio energetico: | - |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247N |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 197W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RGTH60TS65GC11 |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| carica gate: | 58nC |
| Descrizione espansione: | IGBT Trench Field Stop 650V 58A 197W Through Hole TO-247N |
| Descrizione: | IGBT 650V 58A 197W TO-247N |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 120A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 58A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RGTH60TS65GC11
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NGTG15N60S1EG | ON Semiconductor | IGBT 600V 30A 117W TO220-3 | Inchiesta |
 |
FGA70N30TTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 201W TO3P | Inchiesta |
 |
IRG4BC10SDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W TO220AB | Inchiesta |
 |
RGTH60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 58A 194W TO-247N | Inchiesta |
|
IXGP16N60C2 | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO220 | Inchiesta |
 |
IXGH100N30C3 | IXYS | IGBT 300V 75A 460W TO247 | Inchiesta |
 |
SGL50N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 250W TO264 | Inchiesta |
 |
SGW50N60HSFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 416W TO247-3 | Inchiesta |
|
IXGH40N60C2 | IXYS | IGBT 600V 75A 300W TO247AD | Inchiesta |
 |
AUIRGP35B60PD | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 308W TO247AC | Inchiesta |
 |
IXSA20N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 35A 190W TO263 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog