RFP2N10L
Modello di prodotti:
RFP2N10L
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
17859 Pieces
Scheda dati:
1.RFP2N10L.pdf2.RFP2N10L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.05 Ohm @ 2A, 5V
Dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RFP2N10L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 2A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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