RFP12N10L
Modello di prodotti:
RFP12N10L
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15457 Pieces
Scheda dati:
1.RFP12N10L.pdf2.RFP12N10L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:200 mOhm @ 12A, 5V
Dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:RFP12N10L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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