RFM08U9X(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistor-FET, MOSFET-RF RFM08U9X(TE12L,Q)

RFM08U9X(TE12L,Q)

Modello di prodotti:: RFM08U9X(TE12L,Q)

fabbricante:: Toshiba Semiconductor

Descrizione:: MOSFET N-CH PW-X

Stato Lead senza piombo / RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

quantità disponibile:: 15535 Pieces

Scheda dati:: RFM08U9X(TE12L,Q).pdf

Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - Prova:	9.6V
Tensione - nominale:	36V
Tipo transistor:	N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore:	PW-X
Serie:	-
Alimentazione - uscita:	7.5W
imballaggio:	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:	TO-271AA
Altri nomi:	RFM08U9X(TE12LQ)CT
Figura di rumore:	-
Livello di sensibilità umidità (MSL):	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:	RFM08U9X(TE12L,Q)
Guadagno:	11.7dB
Frequenza:	520MHz
Descrizione espansione:	RF Mosfet N-Channel 9.6V 50mA 520MHz 11.7dB 7.5W PW-X
Descrizione:	MOSFET N-CH PW-X
Valutazione attuale:	5A
Corrente - Test:	50mA
Email:	[email protected]

Parti relative per RFM08U9X(TE12L,Q)

Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
PD84006-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF	Inchiesta
PTFA071701FV4R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF LDMOS 170W H37248-2	Inchiesta
PTFA192401FV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2	Inchiesta
PTFA261702E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4	Inchiesta
MRF1K50HR5	NXP USA Inc.	HIGH POWER RF TRANSISTOR	Inchiesta
UF28150J	M/A-Com Technology Solutions	MOSFET 150W 28V 100-500MHZ	Inchiesta
PD55008-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO10	Inchiesta

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