RF08L6STE25
RF08L6STE25
Modello di prodotti:
RF08L6STE25
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16652 Pieces
Scheda dati:
RF08L6STE25.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.3V @ 800mA
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:PMDS
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):70ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DO-214AC, SMA
Altri nomi:RF08L6STE25TR
Temperatura di funzionamento - Giunzione:150°C (Max)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:RF08L6STE25
Descrizione espansione:Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):800mA
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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