RDR005N25TL
RDR005N25TL
Modello di prodotti:
RDR005N25TL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16382 Pieces
Scheda dati:
RDR005N25TL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TSMT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8.8 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):540mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-96
Altri nomi:RDR005N25TLTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RDR005N25TL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:70pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

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