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RDN100N20
- Modello di prodotti:
- RDN100N20
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16773 Pieces
- Scheda dati:
- RDN100N20.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RDN100N20, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RDN100N20 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220FN |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 360 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 35W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RDN100N20 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 543pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 10A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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