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RDN080N25FU6
- Modello di prodotti:
- RDN080N25FU6
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19236 Pieces
- Scheda dati:
- RDN080N25FU6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220FN |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 500 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 35W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | RDN080N25FU6 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 543pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 250V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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