RDD022N50TL
RDD022N50TL
Modello di prodotti:
RDD022N50TL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V CPT
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14467 Pieces
Scheda dati:
RDD022N50TL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.7V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:CPT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):20W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RDD022N50TL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:168pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V CPT
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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