R6024KNX
Modello di prodotti:
R6024KNX
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
NCH 600V 24A POWER MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14507 Pieces
Scheda dati:
R6024KNX.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FM
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:165 mOhm @ 11.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):74W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:R6024KNXTR
R6024KNXTR-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:R6024KNX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 24A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220FM
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:NCH 600V 24A POWER MOSFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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