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QS8M51TR
- Modello di prodotti:
- QS8M51TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19301 Pieces
- Scheda dati:
- QS8M51TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per QS8M51TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per QS8M51TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 325 mOhm @ 2A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | QS8M51TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.7nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A, 1.5A |
| Email: | [email protected] |
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