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QS8M13TCR
- Modello di prodotti:
- QS8M13TCR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16491 Pieces
- Scheda dati:
- QS8M13TCR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per QS8M13TCR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per QS8M13TCR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | QS8M13TCRTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | QS8M13TCR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A, 5A |
| Email: | [email protected] |
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