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QS5U13TR
- Modello di prodotti:
- QS5U13TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19364 Pieces
- Scheda dati:
- QS5U13TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per QS5U13TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per QS5U13TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT5 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Altri nomi: | QS5U13DKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | QS5U13TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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