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PTFA081501E V1
- Modello di prodotti:
- PTFA081501E V1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- FET RF 65V 900MHZ H-30248-2
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13117 Pieces
- Scheda dati:
- PTFA081501E V1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | H-30248-2 |
| Serie: | GOLDMOS® |
| Alimentazione - uscita: | 150W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| Altri nomi: | SP000082730 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | PTFA081501E V1 |
| Guadagno: | 18dB |
| Frequenza: | 900MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 900MHz 18dB 150W H-30248-2 |
| Descrizione: | FET RF 65V 900MHZ H-30248-2 |
| Valutazione attuale: | 10µA |
| Corrente - Test: | 950mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PTFA081501E V1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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PTFA081501E1V4XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36248-2 | Inchiesta |
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PTFA081501E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36248-2 | Inchiesta |
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PTFA081501E1V4T500XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36248-2 | Inchiesta |
 |
PTFA081501F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 | Inchiesta |
|
PTFA082201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 | Inchiesta |
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