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PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Modello di prodotti:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14437 Pieces
- Scheda dati:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | H-49248H-4 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 29W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | H-49248H-4 |
| Altri nomi: | SP001483354 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| Guadagno: | 14.8dB |
| Frequenza: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4 |
| Descrizione: | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| Valutazione attuale: | 10µA |
| Corrente - Test: | 520mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PTAB182002TCV2R250XTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PTAB182002FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4 | Inchiesta |
|
PTAB182002TCV2R250XUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
PTAB182002FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
PTAB182002TCV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 | Inchiesta |
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