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PSMN8R5-100ESQ
- Modello di prodotti:
- PSMN8R5-100ESQ
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15571 Pieces
- Scheda dati:
- PSMN8R5-100ESQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 263W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | 1727-1054 568-10161-5 568-10161-5-ND 934067378127 PSMN8R5100ESQ |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | PSMN8R5-100ESQ |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5512pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 111nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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