PSMN5R9-30YL,115
PSMN5R9-30YL,115
Modello di prodotti:
PSMN5R9-30YL,115
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12137 Pieces
Scheda dati:
PSMN5R9-30YL,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.15V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LFPAK56, Power-SO8
Serie:TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.1 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-100, SOT-669
Altri nomi:568-6903-2
934064946115
PSMN5R930YL115
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PSMN5R9-30YL,115
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1226pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 78A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:78A (Tc)
Email:[email protected]

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