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PSMN5R9-30YL,115
- Modello di prodotti:
- PSMN5R9-30YL,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12137 Pieces
- Scheda dati:
- PSMN5R9-30YL,115.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.15V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 63W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-100, SOT-669 |
| Altri nomi: | 568-6903-2 934064946115 PSMN5R930YL115 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PSMN5R9-30YL,115 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1226pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 78A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 78A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PSMN5R9-30YL,115
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