PSMN5R5-60YS,115
PSMN5R5-60YS,115
Modello di prodotti:
PSMN5R5-60YS,115
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12218 Pieces
Scheda dati:
PSMN5R5-60YS,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LFPAK56, Power-SO8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.2 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):130W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-100, SOT-669
Altri nomi:1727-4284-2
568-4973-2
568-4973-2-ND
934064397115
PSMN5R560YS115
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PSMN5R5-60YS,115
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3501pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 100A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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