PQMD3Z
PQMD3Z
Modello di prodotti:
PQMD3Z
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13847 Pieces
Scheda dati:
PQMD3Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:DFN1010B-6
Serie:Automotive, AEC-Q101
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):10k
Potenza - Max:230mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-XFDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-2713-2
568-13234-2
568-13234-2-ND
934069744147
PQMD3Z-ND
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:PQMD3Z
Frequenza - transizione:230MHz, 180MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
Descrizione:TRANS NPN/PNP RET 6DFN
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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