PMXB75UPEZ
PMXB75UPEZ
Modello di prodotti:
PMXB75UPEZ
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14786 Pieces
Scheda dati:
PMXB75UPEZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DFN1010D-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:85 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):317mW (Ta), 8.33W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-XDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-2314-2
568-12600-2
568-12600-2-ND
934067153147
PMXB75UPEZ-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:PMXB75UPEZ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:608pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 2.9A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

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