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PMV185XN,215
- Modello di prodotti:
- PMV185XN,215
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18610 Pieces
- Scheda dati:
- PMV185XN,215.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 325mW (Ta), 1.275W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | 568-10831-2 934066753215 PMV185XN,215-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMV185XN,215 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 76pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 1.1A (Ta) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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