Acquistare PMGD175XN,115 con BYCHPS
Acquista con garanzia
PMGD175XN,115
- Modello di prodotti:
- PMGD175XN,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15631 Pieces
- Scheda dati:
- PMGD175XN,115.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per PMGD175XN,115, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per PMGD175XN,115 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 225 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 390mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | 568-10793-2 934066754115 PMGD175XN,115-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMGD175XN,115 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 900mA 390mW Surface Mount 6-TSSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 900mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PMGD175XN,115
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
FDG6303N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 | Inchiesta |
 |
BSD840N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | Inchiesta |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
AO6601 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP | Inchiesta |
 |
DMN5L06DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363 | Inchiesta |
 |
PMGD130UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP | Inchiesta |
 |
SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR | Inchiesta |
 |
DMN63D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SOT523 | Inchiesta |
 |
NTMFD4C86NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | Inchiesta |
 |
SI4500BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC | Inchiesta |
 |
SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6 | Inchiesta |
 |
FDMJ1028N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET | Inchiesta |
 |
FDS4935A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog