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PMFPB6532UP,115
- Modello di prodotti:
- PMFPB6532UP,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19888 Pieces
- Scheda dati:
- PMFPB6532UP,115.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN2020-6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 70 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 520mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 568-6531-2 934064007115 PMFPB6532UP,115-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMFPB6532UP,115 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 3.5A (Ta) 520mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN2020-6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PMFPB6532UP,115
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