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PMCPB5530X,115
- Modello di prodotti:
- PMCPB5530X,115
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12128 Pieces
- Scheda dati:
- PMCPB5530X,115.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN2020-6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 34 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 490mW |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 1727-1327-6 568-10754-6 568-10754-6-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMCPB5530X,115 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.3A, 3.4A 490mW Surface Mount DFN2020-6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.3A, 3.4A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PMCPB5530X,115
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BSM180D12P3C007 | Rohm Semiconductor | SIC POWER MODULE | Inchiesta |
 |
BSS84AKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 | Inchiesta |
 |
SI4943BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
ECH8659-M-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 | Inchiesta |
 |
AO8803 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 12V 7A 8TSSOP | Inchiesta |
 |
SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | Inchiesta |
 |
FDW2507NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP | Inchiesta |
 |
APTM50H14FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 | Inchiesta |
|
SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | Inchiesta |
 |
APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | Inchiesta |
 |
IRF7324PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC | Inchiesta |
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