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PHT2NQ10T,135
- Modello di prodotti:
- PHT2NQ10T,135
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14100 Pieces
- Scheda dati:
- PHT2NQ10T,135.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 430 mOhm @ 1.75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 6.25W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | 934056839135 PHT2NQ10T /T3 PHT2NQ10T /T3-ND |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PHT2NQ10T,135 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 160pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 2.5A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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