PHD77NQ03T,118
PHD77NQ03T,118
Modello di prodotti:
PHD77NQ03T,118
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15705 Pieces
Scheda dati:
PHD77NQ03T,118.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):107W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:934060505118
PHD77NQ03T /T3
PHD77NQ03T /T3-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PHD77NQ03T,118
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17.1nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 75A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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