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PHD63NQ03LT,118
- Modello di prodotti:
- PHD63NQ03LT,118
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12032 Pieces
- Scheda dati:
- PHD63NQ03LT,118.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 111W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 934057020118 PHD63NQ03LT/T3 PHD63NQ03LT/T3-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PHD63NQ03LT,118 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 920pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 68.9A (Tc) 111W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 68.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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