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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PHD3055E,118
PHD3055E,118
PHD3055E,118
Modello di prodotti:
PHD3055E,118
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14881 Pieces
Scheda dati:
PHD3055E,118.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:150 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):33W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:934054728118
PHD3055E /T3
PHD3055E /T3-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PHD3055E,118
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 10.3A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.3A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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