Acquistare PH20100S,115 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie: | TrenchMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 23 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 62.5W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | SC-100, SOT-669 |
Altri nomi: | 1727-3049-2 568-2175-2 568-2175-2-ND 934057789115 PH20100S T/R |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | PH20100S,115 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2264pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 34.3A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 34.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |