PBRN123ES,126
PBRN123ES,126
Modello di prodotti:
PBRN123ES,126
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19572 Pieces
Scheda dati:
PBRN123ES,126.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.15V @ 8mA, 800mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):2.2k
Resistenza - Base (R1) (ohm):2.2k
Potenza - Max:700mW
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi:934059134126
PBRN123ES AMO
PBRN123ES AMO-ND
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PBRN123ES,126
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:280 @ 300mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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