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NVMS10P02R2G
- Modello di prodotti:
- NVMS10P02R2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17155 Pieces
- Scheda dati:
- NVMS10P02R2G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NVMS10P02R2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 10A (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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