NVMD4N03R2G
Modello di prodotti:
NVMD4N03R2G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14230 Pieces
Scheda dati:
NVMD4N03R2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:NVMD4N03R2G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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