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NVB6412ANT4G
- Modello di prodotti:
- NVB6412ANT4G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18052 Pieces
- Scheda dati:
- NVB6412ANT4G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NVB6412ANT4G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NVB6412ANT4G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18.2 mOhm @ 58A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 167W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 25 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NVB6412ANT4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 58A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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