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NTR2101PT1
- Modello di prodotti:
- NTR2101PT1
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 15164 Pieces
- Scheda dati:
- NTR2101PT1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTR2101PT1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTR2101PT1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 960mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTR2101PT1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1173pF @ 4V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 8V 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 8V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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