NTP60N06
NTP60N06
Modello di prodotti:
NTP60N06
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
15358 Pieces
Scheda dati:
NTP60N06.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:14 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.4W (Ta), 150W (Tj)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:NTP60N06OS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTP60N06
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:81nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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